band gap примеры

• In order to vary the band gap, the semiconductor must be alloyed or a different semiconductor must be used altogether.
  А для того, чтобы изменить ширину запрещённой зоны, полупроводник должен быть особым образом легирован, либо нужно вообще использовать другой полупроводник.
• For example, indium gallium phosphide layers with a band gap above 1.9 eV can be grown on gallium arsenide wafers with index grading.
  Например, слой фосфида индия-галлия с шириной запрещённой зоны 1,9 эВ может быть выращен на пластине арсенида галлия с помощью метода промежуточного слоя.